锗三极管是一种由锗材料制成的半导体电子器件，具有三个引脚，能够对电流起到放大的作用。
特性
概念
锗三极管是由两个PN结组成的半导体电子器件，可用于放大电流。它包含三个引脚，分别是集电极（c）、基极（b）和发射极（e）。此外，还有电子三极管，其引脚分别称为屏极、栅极和阴极。锗三极管分为PNP型和NPN型两类，其中PNP型的电流流向是从基极经集电极到达发射极，而NPN型则是从基极经发射极到达集电极。这种器件也被称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种通过电流来控制电流的半导体器件。它的主要作用是将微弱的信号放大成为幅度更大的电信号，并且也可以作为无触点开关使用。
主要参数
锗三极管的主要参数包括特征频率fT，当频率达到fT时，三极管会失去电流放大能力；工作电压/电流用于确定管子的工作范围；hFE代表电流放大倍数；VCEO表示集电极发射极反向击穿电压，即临界饱和时的饱和电压；PCM指最大允许耗散功率；封装形式则决定了管子的外观形状。
工作原理
锗三极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性，在基极上施加小电流，从而控制集电极和发射极之间的大电流流动。这种控制方式使得三极管能够在不同的状态下切换，实现信号的放大和开关功能。
与其他类型三极管的区别
锗三极管与硅三极管相比，主要有以下区别：首先，锗三极管的导通电压较低，通常在0.2至0.3伏特之间，而硅三极管的导通电压约为0.65伏特。其次，锗三极管的正向电阻较小，通常在数百欧姆左右，而硅三极管的正向电阻较大，一般在数千欧姆以上。此外，锗三极管的热稳定性较差，而硅三极管的热稳定性较好。由于硅材料更为常见，目前大多数半导体都是采用硅材料制造的。