李成，男，厦门大学教授，理学博士。
人物经历
1997年开始长期从事硅基新型光电子材料的外延生长和器件的研制，师从我国著名光电子学家王启明院士。
2004年4月加盟厦门大学物理系，目前主要从事UHV/CVD外延生长硅基SiGe、Ge量子结构材料及其电子和光电子器件的研制。在国内外杂志如Applied Physics Letters，IEEE photonic technology letters和国际会议上发表论文四十多篇，其中被SCI收录二十篇，被引用80余次。
研究方向
国家自然科学基金面上项目：SOI基高速、窄谱带长波长Ge光电探测器的研究，（2007.1-2009.12）
福建省工业科技重点项目：SOI基垂直腔Ge光电探测器的研制，（2006.7-2009.7）
教育部留学回国人员基金项目：1.3um SiGe/Si多量子阱光晶体管的研制，（2005.9-2008.7）
福建省青年科技人才创新项目SiGe异质结晶体管(HBT)及其集成化工艺技术研究（2004.7－2007.7）
主要贡献
利用UHV/CVD和MBE系统在国际上首次完成了SiGe/Si多量子阱长波长共振腔型光电探测器的研制，其结果被美国光电子杂志Laser Focus World和WDM Solution在新闻栏目中两次撰文跟踪报道，并被收入S. C. Jain教授所著“硅锗 Strained Layers and Heterostructures ” by Academy press （236－239页）2003年出版和L. Pavesi所著Optical interconnection: The Silicon Approach, by springer(134-135页)2006年出版专著中。发明了制作硅基高反射率SOR衬底的方法并获专利，将其应用于Si基共振腔光电探测器中，得到适于WDM通信用窄带光电响应谱。
2002年1月至2004年3月任日本国立筑波大学应用物理系文部科学教官助手，参加日本筑波学际领域联盟研究中心资助的项目：环境半导体硅化铁为有源区的硅基发光二极管及其集成化技术，研制出室温低电流密度下发光的硅基光源，达到国际最好水平。1995-1997年西安微电子技术研究所从事超大规模集成电路的设计和分析，参与完成并行处理器芯片的设计（5万门规模）。